Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6892STRPBF
MOSFET N CH 25V 28A S3
Číslo dílu
IRF6892STRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric S3C
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ S3C
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2510pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10153 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6892STRPBF
IRF6892STRPBF Elektronické komponenty
IRF6892STRPBF Odbyt
IRF6892STRPBF Dodavatel
IRF6892STRPBF Distributor
IRF6892STRPBF Datová tabulka
IRF6892STRPBF Fotky
IRF6892STRPBF Cena
IRF6892STRPBF Nabídka
IRF6892STRPBF Nejnižší cena
IRF6892STRPBF Vyhledávání
IRF6892STRPBF Nákup
IRF6892STRPBF Chip