IRF6811STRPBF
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6811STRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SQ
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta), 74A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1590pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40143 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6811STRPBF
IRF6811STRPBF Elektronické komponenty
IRF6811STRPBF Odbyt
IRF6811STRPBF Dodavatel
IRF6811STRPBF Distributor
IRF6811STRPBF Datová tabulka
IRF6811STRPBF Fotky
IRF6811STRPBF Cena
IRF6811STRPBF Nabídka
IRF6811STRPBF Nejnižší cena
IRF6811STRPBF Vyhledávání
IRF6811STRPBF Nákup
IRF6811STRPBF Chip