Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6810STRPBF
MOSFET N CH 25V 16A S1
Číslo dílu
IRF6810STRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric S1
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET S1
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44140 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6810STRPBF
IRF6810STRPBF Elektronické komponenty
IRF6810STRPBF Odbyt
IRF6810STRPBF Dodavatel
IRF6810STRPBF Distributor
IRF6810STRPBF Datová tabulka
IRF6810STRPBF Fotky
IRF6810STRPBF Cena
IRF6810STRPBF Nabídka
IRF6810STRPBF Nejnižší cena
IRF6810STRPBF Vyhledávání
IRF6810STRPBF Nákup
IRF6810STRPBF Chip