IRF6785MTRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6785MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MZ
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22788 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6785MTRPBF
IRF6785MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6785MTRPBF Odbyt
IRF6785MTRPBF Dodavatel
IRF6785MTRPBF Distributor
IRF6785MTRPBF Datová tabulka
IRF6785MTRPBF Fotky
IRF6785MTRPBF Cena
IRF6785MTRPBF Nabídka
IRF6785MTRPBF Nejnižší cena
IRF6785MTRPBF Vyhledávání
IRF6785MTRPBF Nákup
IRF6785MTRPBF Chip