Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6727MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6727MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6190pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16432 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6727MTRPBF
IRF6727MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6727MTRPBF Odbyt
IRF6727MTRPBF Dodavatel
IRF6727MTRPBF Distributor
IRF6727MTRPBF Datová tabulka
IRF6727MTRPBF Fotky
IRF6727MTRPBF Cena
IRF6727MTRPBF Nabídka
IRF6727MTRPBF Nejnižší cena
IRF6727MTRPBF Vyhledávání
IRF6727MTRPBF Nákup
IRF6727MTRPBF Chip