Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6726MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6726MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6140pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10303 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6726MTRPBF
IRF6726MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6726MTRPBF Odbyt
IRF6726MTRPBF Dodavatel
IRF6726MTRPBF Distributor
IRF6726MTRPBF Datová tabulka
IRF6726MTRPBF Fotky
IRF6726MTRPBF Cena
IRF6726MTRPBF Nabídka
IRF6726MTRPBF Nejnižší cena
IRF6726MTRPBF Vyhledávání
IRF6726MTRPBF Nákup
IRF6726MTRPBF Chip