Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6718L2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Číslo dílu
IRF6718L2TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L6
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L6
Ztráta energie (max.)
4.3W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
61A (Ta), 270A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.7 mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6500pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43521 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6718L2TRPBF
IRF6718L2TRPBF Elektronické komponenty
IRF6718L2TRPBF Odbyt
IRF6718L2TRPBF Dodavatel
IRF6718L2TRPBF Distributor
IRF6718L2TRPBF Datová tabulka
IRF6718L2TRPBF Fotky
IRF6718L2TRPBF Cena
IRF6718L2TRPBF Nabídka
IRF6718L2TRPBF Nejnižší cena
IRF6718L2TRPBF Vyhledávání
IRF6718L2TRPBF Nákup
IRF6718L2TRPBF Chip