Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6717MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.25 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6750pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25110 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6717MTRPBF
IRF6717MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6717MTRPBF Odbyt
IRF6717MTRPBF Dodavatel
IRF6717MTRPBF Distributor
IRF6717MTRPBF Datová tabulka
IRF6717MTRPBF Fotky
IRF6717MTRPBF Cena
IRF6717MTRPBF Nabídka
IRF6717MTRPBF Nejnižší cena
IRF6717MTRPBF Vyhledávání
IRF6717MTRPBF Nákup
IRF6717MTRPBF Chip