Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6714MTRPBF

IRF6714MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6714MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 166A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3890pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13837 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF6714MTRPBF
IRF6714MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6714MTRPBF Odbyt
IRF6714MTRPBF Dodavatel
IRF6714MTRPBF Distributor
IRF6714MTRPBF Datová tabulka
IRF6714MTRPBF Fotky
IRF6714MTRPBF Cena
IRF6714MTRPBF Nabídka
IRF6714MTRPBF Nejnižší cena
IRF6714MTRPBF Vyhledávání
IRF6714MTRPBF Nákup
IRF6714MTRPBF Chip