IRF6712STRPBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6712STRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SQ
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21848 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6712STRPBF
IRF6712STRPBF Elektronické komponenty
IRF6712STRPBF Odbyt
IRF6712STRPBF Dodavatel
IRF6712STRPBF Distributor
IRF6712STRPBF Datová tabulka
IRF6712STRPBF Fotky
IRF6712STRPBF Cena
IRF6712STRPBF Nabídka
IRF6712STRPBF Nejnižší cena
IRF6712STRPBF Vyhledávání
IRF6712STRPBF Nákup
IRF6712STRPBF Chip