Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6711STRPBF
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Číslo dílu
IRF6711STRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SQ
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1810pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42990 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6711STRPBF
IRF6711STRPBF Elektronické komponenty
IRF6711STRPBF Odbyt
IRF6711STRPBF Dodavatel
IRF6711STRPBF Distributor
IRF6711STRPBF Datová tabulka
IRF6711STRPBF Fotky
IRF6711STRPBF Cena
IRF6711STRPBF Nabídka
IRF6711STRPBF Nejnižší cena
IRF6711STRPBF Vyhledávání
IRF6711STRPBF Nákup
IRF6711STRPBF Chip