Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6706S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
Číslo dílu
IRF6706S2TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric S1
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET S1
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta), 26W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1810pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33169 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6706S2TRPBF
IRF6706S2TRPBF Elektronické komponenty
IRF6706S2TRPBF Odbyt
IRF6706S2TRPBF Dodavatel
IRF6706S2TRPBF Distributor
IRF6706S2TRPBF Datová tabulka
IRF6706S2TRPBF Fotky
IRF6706S2TRPBF Cena
IRF6706S2TRPBF Nabídka
IRF6706S2TRPBF Nejnižší cena
IRF6706S2TRPBF Vyhledávání
IRF6706S2TRPBF Nákup
IRF6706S2TRPBF Chip