IRF6691TRPBF
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6691TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6580pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42041 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6691TRPBF
IRF6691TRPBF Elektronické komponenty
IRF6691TRPBF Odbyt
IRF6691TRPBF Dodavatel
IRF6691TRPBF Distributor
IRF6691TRPBF Datová tabulka
IRF6691TRPBF Fotky
IRF6691TRPBF Cena
IRF6691TRPBF Nabídka
IRF6691TRPBF Nejnižší cena
IRF6691TRPBF Vyhledávání
IRF6691TRPBF Nákup
IRF6691TRPBF Chip