Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6691TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6691TR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6580pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27864 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6691TR1PBF
IRF6691TR1PBF Elektronické komponenty
IRF6691TR1PBF Odbyt
IRF6691TR1PBF Dodavatel
IRF6691TR1PBF Distributor
IRF6691TR1PBF Datová tabulka
IRF6691TR1PBF Fotky
IRF6691TR1PBF Cena
IRF6691TR1PBF Nabídka
IRF6691TR1PBF Nejnižší cena
IRF6691TR1PBF Vyhledávání
IRF6691TR1PBF Nákup
IRF6691TR1PBF Chip