IRF6665TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6665TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SH
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SH
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34166 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6665TRPBF
IRF6665TRPBF Elektronické komponenty
IRF6665TRPBF Odbyt
IRF6665TRPBF Dodavatel
IRF6665TRPBF Distributor
IRF6665TRPBF Datová tabulka
IRF6665TRPBF Fotky
IRF6665TRPBF Cena
IRF6665TRPBF Nabídka
IRF6665TRPBF Nejnižší cena
IRF6665TRPBF Vyhledávání
IRF6665TRPBF Nákup
IRF6665TRPBF Chip