IRF6662TRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6662TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MZ
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25034 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF Elektronické komponenty
IRF6662TRPBF Odbyt
IRF6662TRPBF Dodavatel
IRF6662TRPBF Distributor
IRF6662TRPBF Datová tabulka
IRF6662TRPBF Fotky
IRF6662TRPBF Cena
IRF6662TRPBF Nabídka
IRF6662TRPBF Nejnižší cena
IRF6662TRPBF Vyhledávání
IRF6662TRPBF Nákup
IRF6662TRPBF Chip