IRF6648TRPBF
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6648TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MN
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MN
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2120pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27074 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6648TRPBF
IRF6648TRPBF Elektronické komponenty
IRF6648TRPBF Odbyt
IRF6648TRPBF Dodavatel
IRF6648TRPBF Distributor
IRF6648TRPBF Datová tabulka
IRF6648TRPBF Fotky
IRF6648TRPBF Cena
IRF6648TRPBF Nabídka
IRF6648TRPBF Nejnižší cena
IRF6648TRPBF Vyhledávání
IRF6648TRPBF Nákup
IRF6648TRPBF Chip