IRF6645TRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6645TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SJ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SJ
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54127 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF Elektronické komponenty
IRF6645TRPBF Odbyt
IRF6645TRPBF Dodavatel
IRF6645TRPBF Distributor
IRF6645TRPBF Datová tabulka
IRF6645TRPBF Fotky
IRF6645TRPBF Cena
IRF6645TRPBF Nabídka
IRF6645TRPBF Nejnižší cena
IRF6645TRPBF Vyhledávání
IRF6645TRPBF Nákup
IRF6645TRPBF Chip