Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6645
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Číslo dílu
IRF6645
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SJ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SJ
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32210 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6645
IRF6645 Elektronické komponenty
IRF6645 Odbyt
IRF6645 Dodavatel
IRF6645 Distributor
IRF6645 Datová tabulka
IRF6645 Fotky
IRF6645 Cena
IRF6645 Nabídka
IRF6645 Nejnižší cena
IRF6645 Vyhledávání
IRF6645 Nákup
IRF6645 Chip