IRF6644TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6644TR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MN
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MN
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21567 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6644TR1PBF
IRF6644TR1PBF Elektronické komponenty
IRF6644TR1PBF Odbyt
IRF6644TR1PBF Dodavatel
IRF6644TR1PBF Distributor
IRF6644TR1PBF Datová tabulka
IRF6644TR1PBF Fotky
IRF6644TR1PBF Cena
IRF6644TR1PBF Nabídka
IRF6644TR1PBF Nejnižší cena
IRF6644TR1PBF Vyhledávání
IRF6644TR1PBF Nákup
IRF6644TR1PBF Chip