IRF6641TRPBF
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6641TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MZ
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41474 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6641TRPBF
IRF6641TRPBF Elektronické komponenty
IRF6641TRPBF Odbyt
IRF6641TRPBF Dodavatel
IRF6641TRPBF Distributor
IRF6641TRPBF Datová tabulka
IRF6641TRPBF Fotky
IRF6641TRPBF Cena
IRF6641TRPBF Nabídka
IRF6641TRPBF Nejnižší cena
IRF6641TRPBF Vyhledávání
IRF6641TRPBF Nákup
IRF6641TRPBF Chip