IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6636TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2420pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51794 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6636TRPBF
IRF6636TRPBF Elektronické komponenty
IRF6636TRPBF Odbyt
IRF6636TRPBF Dodavatel
IRF6636TRPBF Distributor
IRF6636TRPBF Datová tabulka
IRF6636TRPBF Fotky
IRF6636TRPBF Cena
IRF6636TRPBF Nabídka
IRF6636TRPBF Nejnižší cena
IRF6636TRPBF Vyhledávání
IRF6636TRPBF Nákup
IRF6636TRPBF Chip