IRF6629TRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6629TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4260pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54564 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6629TRPBF
IRF6629TRPBF Elektronické komponenty
IRF6629TRPBF Odbyt
IRF6629TRPBF Dodavatel
IRF6629TRPBF Distributor
IRF6629TRPBF Datová tabulka
IRF6629TRPBF Fotky
IRF6629TRPBF Cena
IRF6629TRPBF Nabídka
IRF6629TRPBF Nejnižší cena
IRF6629TRPBF Vyhledávání
IRF6629TRPBF Nákup
IRF6629TRPBF Chip