IRF6629TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6629TR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4260pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14396 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6629TR1PBF
IRF6629TR1PBF Elektronické komponenty
IRF6629TR1PBF Odbyt
IRF6629TR1PBF Dodavatel
IRF6629TR1PBF Distributor
IRF6629TR1PBF Datová tabulka
IRF6629TR1PBF Fotky
IRF6629TR1PBF Cena
IRF6629TR1PBF Nabídka
IRF6629TR1PBF Nejnižší cena
IRF6629TR1PBF Vyhledávání
IRF6629TR1PBF Nákup
IRF6629TR1PBF Chip