IRF6623
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6623
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
1.4W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28869 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6623
IRF6623 Elektronické komponenty
IRF6623 Odbyt
IRF6623 Dodavatel
IRF6623 Distributor
IRF6623 Datová tabulka
IRF6623 Fotky
IRF6623 Cena
IRF6623 Nabídka
IRF6623 Nejnižší cena
IRF6623 Vyhledávání
IRF6623 Nákup
IRF6623 Chip