IRF6619TRPBF
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6619TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5040pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53452 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6619TRPBF
IRF6619TRPBF Elektronické komponenty
IRF6619TRPBF Odbyt
IRF6619TRPBF Dodavatel
IRF6619TRPBF Distributor
IRF6619TRPBF Datová tabulka
IRF6619TRPBF Fotky
IRF6619TRPBF Cena
IRF6619TRPBF Nabídka
IRF6619TRPBF Nejnižší cena
IRF6619TRPBF Vyhledávání
IRF6619TRPBF Nákup
IRF6619TRPBF Chip