IRF6619TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6619TR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5040pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35299 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6619TR1PBF
IRF6619TR1PBF Elektronické komponenty
IRF6619TR1PBF Odbyt
IRF6619TR1PBF Dodavatel
IRF6619TR1PBF Distributor
IRF6619TR1PBF Datová tabulka
IRF6619TR1PBF Fotky
IRF6619TR1PBF Cena
IRF6619TR1PBF Nabídka
IRF6619TR1PBF Nejnižší cena
IRF6619TR1PBF Vyhledávání
IRF6619TR1PBF Nákup
IRF6619TR1PBF Chip