IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6619TR1
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5040pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47448 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6619TR1
IRF6619TR1 Elektronické komponenty
IRF6619TR1 Odbyt
IRF6619TR1 Dodavatel
IRF6619TR1 Distributor
IRF6619TR1 Datová tabulka
IRF6619TR1 Fotky
IRF6619TR1 Cena
IRF6619TR1 Nabídka
IRF6619TR1 Nejnižší cena
IRF6619TR1 Vyhledávání
IRF6619TR1 Nákup
IRF6619TR1 Chip