Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6618TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6618TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta), 170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5640pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29004 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6618TRPBF
IRF6618TRPBF Elektronické komponenty
IRF6618TRPBF Odbyt
IRF6618TRPBF Dodavatel
IRF6618TRPBF Distributor
IRF6618TRPBF Datová tabulka
IRF6618TRPBF Fotky
IRF6618TRPBF Cena
IRF6618TRPBF Nabídka
IRF6618TRPBF Nejnižší cena
IRF6618TRPBF Vyhledávání
IRF6618TRPBF Nákup
IRF6618TRPBF Chip