Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6617TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6617TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20591 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6617TRPBF
IRF6617TRPBF Elektronické komponenty
IRF6617TRPBF Odbyt
IRF6617TRPBF Dodavatel
IRF6617TRPBF Distributor
IRF6617TRPBF Datová tabulka
IRF6617TRPBF Fotky
IRF6617TRPBF Cena
IRF6617TRPBF Nabídka
IRF6617TRPBF Nejnižší cena
IRF6617TRPBF Vyhledávání
IRF6617TRPBF Nákup
IRF6617TRPBF Chip