IRF6616TRPBF
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6616TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta), 106A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3765pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22321 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6616TRPBF
IRF6616TRPBF Elektronické komponenty
IRF6616TRPBF Odbyt
IRF6616TRPBF Dodavatel
IRF6616TRPBF Distributor
IRF6616TRPBF Datová tabulka
IRF6616TRPBF Fotky
IRF6616TRPBF Cena
IRF6616TRPBF Nabídka
IRF6616TRPBF Nejnižší cena
IRF6616TRPBF Vyhledávání
IRF6616TRPBF Nákup
IRF6616TRPBF Chip