Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6614TRPBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6614TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2560pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15490 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6614TRPBF
IRF6614TRPBF Elektronické komponenty
IRF6614TRPBF Odbyt
IRF6614TRPBF Dodavatel
IRF6614TRPBF Distributor
IRF6614TRPBF Datová tabulka
IRF6614TRPBF Fotky
IRF6614TRPBF Cena
IRF6614TRPBF Nabídka
IRF6614TRPBF Nejnižší cena
IRF6614TRPBF Vyhledávání
IRF6614TRPBF Nákup
IRF6614TRPBF Chip