IRF6613TRPBF
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6613TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5950pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53044 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF Elektronické komponenty
IRF6613TRPBF Odbyt
IRF6613TRPBF Dodavatel
IRF6613TRPBF Distributor
IRF6613TRPBF Datová tabulka
IRF6613TRPBF Fotky
IRF6613TRPBF Cena
IRF6613TRPBF Nabídka
IRF6613TRPBF Nejnižší cena
IRF6613TRPBF Vyhledávání
IRF6613TRPBF Nákup
IRF6613TRPBF Chip