IRF6611TR1
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6611TR1
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4860pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50710 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6611TR1
IRF6611TR1 Elektronické komponenty
IRF6611TR1 Odbyt
IRF6611TR1 Dodavatel
IRF6611TR1 Distributor
IRF6611TR1 Datová tabulka
IRF6611TR1 Fotky
IRF6611TR1 Cena
IRF6611TR1 Nabídka
IRF6611TR1 Nejnižší cena
IRF6611TR1 Vyhledávání
IRF6611TR1 Nákup
IRF6611TR1 Chip