IRF6610TRPBF
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6610TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SQ
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Ta), 66A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1520pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30756 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6610TRPBF
IRF6610TRPBF Elektronické komponenty
IRF6610TRPBF Odbyt
IRF6610TRPBF Dodavatel
IRF6610TRPBF Distributor
IRF6610TRPBF Datová tabulka
IRF6610TRPBF Fotky
IRF6610TRPBF Cena
IRF6610TRPBF Nabídka
IRF6610TRPBF Nejnižší cena
IRF6610TRPBF Vyhledávání
IRF6610TRPBF Nákup
IRF6610TRPBF Chip