Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6608TR1
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2120pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36895 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6608TR1
IRF6608TR1 Elektronické komponenty
IRF6608TR1 Odbyt
IRF6608TR1 Dodavatel
IRF6608TR1 Distributor
IRF6608TR1 Datová tabulka
IRF6608TR1 Fotky
IRF6608TR1 Cena
IRF6608TR1 Nabídka
IRF6608TR1 Nejnižší cena
IRF6608TR1 Vyhledávání
IRF6608TR1 Nákup
IRF6608TR1 Chip