IRF6608
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6608
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2120pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45569 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6608
IRF6608 Elektronické komponenty
IRF6608 Odbyt
IRF6608 Dodavatel
IRF6608 Distributor
IRF6608 Datová tabulka
IRF6608 Fotky
IRF6608 Cena
IRF6608 Nabídka
IRF6608 Nejnižší cena
IRF6608 Vyhledávání
IRF6608 Nákup
IRF6608 Chip