IRF6607
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6607
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Ta), 94A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6930pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25519 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6607
IRF6607 Elektronické komponenty
IRF6607 Odbyt
IRF6607 Dodavatel
IRF6607 Distributor
IRF6607 Datová tabulka
IRF6607 Fotky
IRF6607 Cena
IRF6607 Nabídka
IRF6607 Nejnižší cena
IRF6607 Vyhledávání
IRF6607 Nákup
IRF6607 Chip