IRF6603
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6603
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6590pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14777 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6603
IRF6603 Elektronické komponenty
IRF6603 Odbyt
IRF6603 Dodavatel
IRF6603 Distributor
IRF6603 Datová tabulka
IRF6603 Fotky
IRF6603 Cena
IRF6603 Nabídka
IRF6603 Nejnižší cena
IRF6603 Vyhledávání
IRF6603 Nákup
IRF6603 Chip