IRF6602
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6602
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MQ
Ztráta energie (max.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta), 48A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1420pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7860 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6602
IRF6602 Elektronické komponenty
IRF6602 Odbyt
IRF6602 Dodavatel
IRF6602 Distributor
IRF6602 Datová tabulka
IRF6602 Fotky
IRF6602 Cena
IRF6602 Nabídka
IRF6602 Nejnižší cena
IRF6602 Vyhledávání
IRF6602 Nákup
IRF6602 Chip