IRF6601
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6601
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Ta), 85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15757 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6601
IRF6601 Elektronické komponenty
IRF6601 Odbyt
IRF6601 Dodavatel
IRF6601 Distributor
IRF6601 Datová tabulka
IRF6601 Fotky
IRF6601 Cena
IRF6601 Nabídka
IRF6601 Nejnižší cena
IRF6601 Vyhledávání
IRF6601 Nákup
IRF6601 Chip