IRF640NSTRRPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Číslo dílu
IRF640NSTRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35149 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640NSTRRPBF
IRF640NSTRRPBF Elektronické komponenty
IRF640NSTRRPBF Odbyt
IRF640NSTRRPBF Dodavatel
IRF640NSTRRPBF Distributor
IRF640NSTRRPBF Datová tabulka
IRF640NSTRRPBF Fotky
IRF640NSTRRPBF Cena
IRF640NSTRRPBF Nabídka
IRF640NSTRRPBF Nejnižší cena
IRF640NSTRRPBF Vyhledávání
IRF640NSTRRPBF Nákup
IRF640NSTRRPBF Chip