Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF640NSPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Číslo dílu
IRF640NSPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50733 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640NSPBF
IRF640NSPBF Elektronické komponenty
IRF640NSPBF Odbyt
IRF640NSPBF Dodavatel
IRF640NSPBF Distributor
IRF640NSPBF Datová tabulka
IRF640NSPBF Fotky
IRF640NSPBF Cena
IRF640NSPBF Nabídka
IRF640NSPBF Nejnižší cena
IRF640NSPBF Vyhledávání
IRF640NSPBF Nákup
IRF640NSPBF Chip