Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Číslo dílu
IRF640NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27729 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640NPBF
IRF640NPBF Elektronické komponenty
IRF640NPBF Odbyt
IRF640NPBF Dodavatel
IRF640NPBF Distributor
IRF640NPBF Datová tabulka
IRF640NPBF Fotky
IRF640NPBF Cena
IRF640NPBF Nabídka
IRF640NPBF Nejnižší cena
IRF640NPBF Vyhledávání
IRF640NPBF Nákup
IRF640NPBF Chip