Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Číslo dílu
IRF640NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12641 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640NLPBF
IRF640NLPBF Elektronické komponenty
IRF640NLPBF Odbyt
IRF640NLPBF Dodavatel
IRF640NLPBF Distributor
IRF640NLPBF Datová tabulka
IRF640NLPBF Fotky
IRF640NLPBF Cena
IRF640NLPBF Nabídka
IRF640NLPBF Nejnižší cena
IRF640NLPBF Vyhledávání
IRF640NLPBF Nákup
IRF640NLPBF Chip