Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630NSTRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF630NSTRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7028 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630NSTRRPBF
IRF630NSTRRPBF Elektronické komponenty
IRF630NSTRRPBF Odbyt
IRF630NSTRRPBF Dodavatel
IRF630NSTRRPBF Distributor
IRF630NSTRRPBF Datová tabulka
IRF630NSTRRPBF Fotky
IRF630NSTRRPBF Cena
IRF630NSTRRPBF Nabídka
IRF630NSTRRPBF Nejnižší cena
IRF630NSTRRPBF Vyhledávání
IRF630NSTRRPBF Nákup
IRF630NSTRRPBF Chip