Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630NSTRR
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF630NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21263 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630NSTRR
IRF630NSTRR Elektronické komponenty
IRF630NSTRR Odbyt
IRF630NSTRR Dodavatel
IRF630NSTRR Distributor
IRF630NSTRR Datová tabulka
IRF630NSTRR Fotky
IRF630NSTRR Cena
IRF630NSTRR Nabídka
IRF630NSTRR Nejnižší cena
IRF630NSTRR Vyhledávání
IRF630NSTRR Nákup
IRF630NSTRR Chip