IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF630NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39063 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF630NSTRLPBF Odbyt
IRF630NSTRLPBF Dodavatel
IRF630NSTRLPBF Distributor
IRF630NSTRLPBF Datová tabulka
IRF630NSTRLPBF Fotky
IRF630NSTRLPBF Cena
IRF630NSTRLPBF Nabídka
IRF630NSTRLPBF Nejnižší cena
IRF630NSTRLPBF Vyhledávání
IRF630NSTRLPBF Nákup
IRF630NSTRLPBF Chip