Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF630NSPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43096 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630NSPBF
IRF630NSPBF Elektronické komponenty
IRF630NSPBF Odbyt
IRF630NSPBF Dodavatel
IRF630NSPBF Distributor
IRF630NSPBF Datová tabulka
IRF630NSPBF Fotky
IRF630NSPBF Cena
IRF630NSPBF Nabídka
IRF630NSPBF Nejnižší cena
IRF630NSPBF Vyhledávání
IRF630NSPBF Nákup
IRF630NSPBF Chip