Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Číslo dílu
IRF630NS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34919 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630NS
IRF630NS Elektronické komponenty
IRF630NS Odbyt
IRF630NS Dodavatel
IRF630NS Distributor
IRF630NS Datová tabulka
IRF630NS Fotky
IRF630NS Cena
IRF630NS Nabídka
IRF630NS Nejnižší cena
IRF630NS Vyhledávání
IRF630NS Nákup
IRF630NS Chip